Al3+对Ge/Al-SiO2薄膜光致发光的影响

• 作者: 王加贤 陈虎
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光致发光 Ce/Al-SiO2薄膜 缺陷中心 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能研究
• 页码范围: 32-35
• 分类号: O482.31
• 字数: 1662字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123301.0032

摘要

采用磁控溅射及后退火技术制备了不同组份和不同退火温度的Ge、Al共掺SiO2薄膜.通过对样品的X射线光电子能谱(XPS)测试,确定了薄膜的成分和结构特征；同时还测试了样品的光致发光谱(PL谱),得到了峰值位于420 nm附近的紫光发射峰和峰值位于470 nm的蓝光发射峰.实验结果表明,Al的掺杂不仅可以显著地提高GeNOV中心和SiNOV中心的光发射效率,还可以促进GeNOV缺陷和SiNOV缺陷中心的形成,进而有利于薄膜的光致发光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈虎	华侨大学信息科学与工程学院	5	45	2.0	5.0
2	王加贤	华侨大学信息科学与工程学院	81	268	9.0	12.0