基于一种交织码的多位翻转容错技术研究

• 作者: 刘小汇 张鑫 陈华明
• 来源期刊: 信号处理
• 学科: 工学
• 关键词: 静态存储器 错误纠正码 单字节多位翻转 随机错误 突发错误
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 应用
• 页码范围: 1014-1020
• 分类号: TN967.1
• 字数: 4935字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0530.2012.07.015

摘要

随着技术的发展和核心电压的降低,存储器更易受瞬时错误(软错误)影响,成为影响航天器件可靠性的主要原因.错误检测与纠正(EDAC)码(也称错误纠正码)常用来对SRAM型存储器中的瞬时错误进行纠正,由单个高能粒子引起的多位翻转错误(SEMU)是普通纠一检二(SEC-DED)编码所无法处理的.提出了一种交织度为2的(26,16)交织码,该码由两个能纠正一位随机错误、二位突发错误的(13,8)系统码组成,(26,16)交织码能够纠正单个码字中小于二位的随机错误和小于四位突发错误(DEC-QAEC).通过理论分析和硬件平台实验表明,该交织码在存储资源占用率、实时性相当情况下可靠性优于同等长度的SEC-DED码,能有效提高SRAM型存储器抗多位翻转错误的能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘小汇	国防科技大学电子科学与工程学院卫星导航研发中心	16	69	5.0	7.0
2	陈华明	国防科技大学电子科学与工程学院卫星导航研发中心	22	116	6.0	10.0
3	张鑫	国防科技大学电子科学与工程学院卫星导航研发中心	20	86	6.0	8.0