SiC/Al2O3界面结构的同步辐射X射线掠入射衍射研究

• 作者: 刘忠良 唐军 康朝阳 徐彭寿 潘国强 陈香存
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅薄膜 蓝宝石衬底 固源分子束外延 掠入射衍射
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 所属期刊栏目: 其他
• 页码范围: 79-82
• 分类号: O484|TN304
• 字数: 2914字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2012.01.17

摘要

采用固源分子束外延技术,以Al2O3为衬底,在1100℃下制备SiC薄膜.利用同步辐射X射线掠入射(GID)实验技术对生长的样品的界面结构进行了研究.结果表明,薄膜面内存在压应变,同时发现薄膜晶体质量在远离薄膜和衬底界面区会逐渐变好.GID和X射线衍射的摇摆曲线结果表明薄膜中镶嵌块的扭转大于倾斜,说明SiC薄膜在垂直方向的晶格排列要比面内更加有序.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐彭寿	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	70	488	10.0	19.0
2	康朝阳	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	13	59	5.0	7.0
3	刘忠良	淮北师范大学物理与电子信息学院	28	75	5.0	7.0
5	潘国强	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	22	72	5.0	7.0
8	唐军	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	19	349	7.0	18.0
9	陈香存	中国科学技术大学国家同步辐射实验室	6	17	3.0	3.0