852nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性

• 作者: 刘云 宁永强 张星 徐华伟 曾玉刚 王立军 秦莉
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 激光器 AlGaInAs 量子阱 数值模拟
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 640-646
• 分类号: TN248.4
• 字数: 3962字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123306.0640

摘要

为了提高852 nm半导体激光器的温度稳定性,理论计算了InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的增益,模拟对比并研究了不同量子阱的增益峰值和峰值波长随温度的漂移.结果显示,采用In015Ga0.74-Al0.11As作为852 nm半导体激光器的量子阱可以使器件同时具有较高的增益峰值和良好的温度稳定性.使用金属有机化学气相沉积(MOCVD)外延生长了压应变In0.15Ga0.74Al0.11As单量子阱852 nm半导体激光器,实验测得波长随温度漂移的数值为0.256 nm/K,实验测试结果验证了理论计算结果.