RFMD推出最新氮化镓工艺技术

• 作者: 吴琪乐
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 RFMD 工艺技术 击穿电压 复合半导体 全球领导者 技术设计 功率转换 能量消耗 峰值电流
• 年，卷（期）: bdtxx_2012,（5）
• 页码范围: 33-34
• 页数: 2页
• 分类号: TN305

摘要

【正】高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者RFMicro Devices日前宣布,扩展其RFMD业界领先的氮化镓工艺技术,包括功率转换应用中专为高电压功率器件而优化的新技术。RFMD推出的最新氮化镓工艺技术一rGaN-HV^TM-可在功率转换应用（1至50KW）中大幅度降低系统成本和能量消耗。RFMD推出的rGaN-HV^TM技术可为器件实现高达900伏特的击穿电压,具有高峰值电流功能并可在氮化镓电