ESS试验中ASIC硅片脱落分析

• 作者: 张红波 胡建
• 来源期刊: 电子质量
• 关键词: 硅片 脱落 ESS试验 污染
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 所属期刊栏目: 测试测量技术
• 页码范围: 29-30,33
• 页数: 3页
• 分类号: TM505
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-0107.2012.04.009

摘要

在导弹生产试验中,某型专用集成电路的硅片从管壳座上脱落。对失效样品脱落的形貌和能谱图进行仔细分析确定硅片脱离界面,分析工艺过程找到失效原因,改进硅片表面处理工艺。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张红波	中国人民解放军驻中航工业导弹院军事代表室	7	19	3.0	4.0
2	胡建		2	5	1.0	2.0