MOCVD法制备的p-ZnO/n-SiC异质结器件及其电致发光性能

• 作者: 伍斌 史志锋 夏晓川 张宝林 张金香 杜国同 王瑾 王辉 董鑫 蔡旭浦
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: As掺杂 p-ZnO/n-SiC 电致发光 金属有机化学汽相沉积
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 器件制备与器件物理
• 页码范围: 514-518
• 分类号: O484.1|TN383
• 字数: 1910字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123305.0514

摘要

采用光辅助金属有机化学汽相沉积( PA-MOCVD)法在n-SiC(6H)衬底上制备出As掺杂的p型ZnO 薄膜,并制备出相应的p-ZnO∶ As/n-SiC异质结器件.X射线衍射(XRD)和光致发光(PL)测试表明,ZnO薄膜具有较好的结构和光学特性.电流-电压(I-V)测试结果表明,该型异质结器件具有良好的整流特性,开启电压为5.0V,反向击穿电压约为-13 V.正向偏压下,器件的电致发光(EL)谱表现出两个分别位于紫外和可见光区域的发光峰,通过和ZnO、SiC的PL谱对照,证实异质结器件的发光峰来源于ZnO侧的辐射复合.