低剂量率60Coγ辐线辐照下SOIMOS器件的退化机理

• 作者: 刘红侠 卓青青 商怀超
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: 低剂量率 总剂量效应 kink效应 跨导
• 年，卷（期）: 2012,（24）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：结构、力学和热学性质
• 页码范围: 403-409
• 分类号: TN432.05
• 语种: 中文

摘要

本文通过实验分析了O．8μm工艺H形栅SOIMOS器件在低剂量率下的1射线总剂量效应．实验结果表明，总剂量相同时，低剂量率的辐照效应更严重，关态偏置条件下的阈值电压漂移大于开态，辐照引起NMOS器件发生kink效应时的漏极电压％升高．研究结果表明：界面态对PMOS器件亚阈值斜率和跨导退化的影响作用不同，主要原因是栅极偏置不同使起作用的界面态数量不同．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘红侠	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	91	434	10.0	15.0
2	卓青青	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	9	33	4.0	5.0
3	商怀超	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	1	4	1.0	1.0