高剂量中子辐照6H-SiC晶体的退火特性

• 作者: 王鹏飞 祝威 阮永丰 陈敬 马鹏飞 黄丽
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 工学
• 关键词: 6H-SiC 中子辐照 缺陷 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 试验与技术
• 页码范围: 386-390
• 分类号: TB333
• 字数: 3030字
• 语种: 中文

摘要

在温度为60～80℃的条件下用剂量为1.72×1019n/crm2的中子对6H-SiC晶体进行了辐照,利用X射线衍射等方法观测了中子辐照引起的缺陷及其恢复.重点追踪6H-SiC的(006)、(0012)晶面的衍射峰并进行实验观测.中子辐照对晶体造成了严重的损伤,使其内部产生了大量的缺陷,在某些被测晶面甚至出现非晶化.通过等时退火,缺陷逐渐消失,晶格开始恢复,其恢复特性由退火温度决定.通过X射线衍射峰的峰高和峰型发现,在温度低于600℃时,辐照损伤几乎不变,超过600℃后,温度越高,晶格恢复现象越明显.原来经辐照呈非晶化的晶面逐渐恢复有序,(006)面衍射峰的半高宽随退火温度的升高呈线性恢复.利用此种线性规律可以制作无线传感器,从而实现对某些复杂环境的温场测试.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阮永丰	天津大学理学院	57	357	11.0	14.0
2	王鹏飞	天津大学理学院	16	132	6.0	11.0
3	马鹏飞		4	16	2.0	4.0
4	陈敬	天津大学理学院	5	33	4.0	5.0
5	祝威	天津大学理学院	4	26	3.0	4.0
9	黄丽	天津大学理学院	4	30	4.0	4.0