SiO2/聚酰亚胺/SiO2复合薄膜绝缘性能及基于聚酰亚胺复合薄膜的后栅型场致发射性能的研究

• 作者: 于光龙 张志坚 张永爱 郑灼勇 郭太良 陈景水
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 聚酰亚胺 场发射 复合薄膜 后栅型
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 所属期刊栏目: 电子器件
• 页码范围: 214-218
• 分类号: TN383
• 字数: 2544字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2012.03.07

摘要

要使用射频磁控溅射和化学溶液法制备了SiO2/聚酰亚胺(PI)/SO绝缘膜.分别使用X射线衍射、扫描电镜对薄膜结构和薄膜表面形貌进行了表征；利用超高阻微电流测试仪测试了SiO2/PI/SiO2复合绝缘膜漏电流和电压击穿特性；采用SiO2/PI/SO作为绝缘膜,制作了后栅型场致发射器件,使用场发射测试系统测试了器件的开启电压、发射电流以及发光亮度.结果表明:SiO2/PI/SiO2复合绝缘膜具有高的击穿电压和低的漏电流密度,后栅器件中栅极对阴极表面的电场强度调控作用明显,阳极电压为750V时,栅极开启电压为91 V,阳极电流可达384μA,栅极漏电流仅为59μA,器件最高亮度可达600 cd/m2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭太良	福州大学物理与信息工程学院	302	1102	15.0	21.0
2	张永爱	福州大学物理与信息工程学院	57	199	8.0	11.0
3	郑灼勇	福州大学物理与信息工程学院	5	30	3.0	5.0
4	于光龙	福州大学物理与信息工程学院	6	21	3.0	4.0
5	张志坚	福州大学物理与信息工程学院	4	17	3.0	4.0
6	陈景水	福州大学物理与信息工程学院	4	17	3.0	4.0