ZnS衬底表面制备HfO_2增透保护膜的性能

• 作者: 冯寅楠 刘金龙 吕反修 李成明 赵晓静 陈良贤 黑立富
• 来源期刊: 材料热处理学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnS HfO2薄膜 增透保护膜 射频磁控溅射
• 年，卷（期）: 2012,（10）
• 所属期刊栏目: 表面改性
• 页码范围: 130-134
• 分类号: TG174.4|TB383
• 语种: 中文

摘要

用射频磁控溅射法在CVD ZnS衬底上制备了HfO2薄膜,利用X射线衍射（XRD）,扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、傅里叶红外光谱（FTIR）和纳米力学探针对HfO2薄膜的结构和性能进行了分析和测试。结果表明,制备的HfO2为单斜相,膜层致密、表面平整、粗糙度仅为3.0 nm,硬度（7.3 GPa）显著高于衬底ZnS的硬度（2.6 GPa）。采用ZnO薄膜作过渡层,可有效提高HfO2与ZnS衬底的结合强度。单面镀制HfO2薄膜后,ZnS衬底在8-12μm长波红外波段的透过率最高可达81.5%,较之ZnS基体提高了5.8%,双面镀制HfO2薄膜后透过率最高可达90.5%,较之ZnS基体提高了14.8%,与理论计算结果吻合较好,适合作为ZnS窗口的增透保护膜。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕反修	北京科技大学材料科学与工程学院	151	1208	18.0	24.0
2	黑立富	北京科技大学材料科学与工程学院	39	153	6.0	10.0
3	李成明	北京科技大学材料科学与工程学院	71	480	12.0	19.0
4	陈良贤	北京科技大学材料科学与工程学院	34	69	4.0	5.0
5	刘金龙	北京科技大学材料科学与工程学院	34	82	5.0	7.0
6	赵晓静	北京科技大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0
7	冯寅楠	北京科技大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0