TiO2/Al2O3-Al2O3-TiO2/Al2O3绝缘结构的真空沿面闪络特性

• 作者: 何良 张拓 李盛涛
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 真空沿面闪络 三结合点 A-B-A绝缘结构 电场强度 介电常数
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 页码范围: 93-99
• 分类号: TM855
• 语种: 中文

摘要

基于变插入层介电常数的多层绝缘结构能改善电场分布、提高真空沿面闪络特性,通过真空热压烧结制备了TiO2/Al2O3-Al2O3-TiO2/Al2O3(A-B-A)3层绝缘结构,A层w(TiO2)为0.5％到20％.测量了该绝缘结构的真空沿面闪络特性,发现闪络特性随w(TiO2)的增加而提高,当w(TiO2)为20％时,其脉冲初次闪络电压较同等厚度的Al2O3陶瓷提高了63％.研究发现:A层的介电常数可由w(TiO2)调控,介电常数的增大能有效降低真空-绝缘子-阴极三结合点处的电场强度；A层表面存在的TiO2颗粒可以减小二次电子发射系数并改善表面电荷分布；TiO2的电导率虽比Al2O3高,但其仍为绝缘体,即使TiO2含量较高时也不会形成贯穿的导电通道.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李盛涛	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	98	927	20.0	26.0
2	张拓	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	9	36	3.0	6.0
3	何良	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	1	2	1.0	1.0