磁控溅射制备的AlN薄膜的结构、组分及性能分析

• 作者: 席忠红 李海翼
• 来源期刊: 低温与超导
• 学科: 物理学
• 关键词: AlN薄膜 溅射电流 XRD 透射率 FTIR EDS
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 超导技术
• 页码范围: 32-35,39
• 分类号: O484.1
• 字数: 2275字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-7100.2012.09.007

摘要

采用DC磁控溅射法,分别在p-Si(111)和玻璃基片上沉积AlN薄膜.利用X射线衍射(XRD)、X射线能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)、台阶仪\紫外/可见分光光度计和傅里叶变换红外光谱仪(FTIR)分析了薄膜的结构组分、表面形貌、膜厚、光学性能和红外吸收特性.结果 表明:溅射电流对A1N薄膜的生成有很大的影响,当电流增加到0.40A时,薄膜中出现明显的h-AlN(100)和AlN(110)衍射峰；样品的最大高度都小于30nm；样品在250-1000nm波长范围内具有较高的透射率,当溅射电流为0.4A时,薄膜的禁带宽度约为5.94eV；在677.12cm1处出现强烈的吸收峰.