X波段GaN基微波功率放大器的设计

• 作者: 魏涛
• 来源期刊: 物联网技术
• 关键词: GaN HEMT 功率合成 X波段 功率放大器
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 65-67
• 分类号: TN721
• 语种: 中文

摘要

给出了一种X波段GaN基功率放大器的设计方法.研究了相关的偏置电路、匹配网络以及稳定性网络,实现了6个GaN HEMT器件的功率合成.该方法在偏置VGS=-3.2 V,VDS=6 V,IDS=200 mA,频率为8 GHz时,可以仿真得到的放大器增益为20.380 dB,饱和输出功率可以达到35.268 dBm(约为3.36 W).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏涛	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	6	12	3.0	3.0