The First Principles Investigations of the Thermoelectric Properties of GaN with p- and n-Type Doping

• 作者: LI Qiao-Hong MA Zu-Ju SA Rong-Jian WEI Yong-Qin WU Ke-Chen WU Wen-Tao
• 来源期刊: 结构化学
• 学科: 工学
• 关键词: 第一原理计算 热电性能 GaN n-型 掺杂 p型 功率因数 热电特性
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 页码范围: 1613-1617
• 页数: 5页
• 分类号: TN37|TM912
• 语种: 英文

摘要

We investigate the thermoelectric properties of GaN with p- and n-type doping by the first principles calculation and the semi-classical Boltzmann theory. We find that the power factors (Sacr) of p-type GaN (-3500 μW/mK2) is about twice that of the n-type (-1750 μW/mK2), which indicates the thermoelectric properties of p-type GaN would be better. Thermal conductivity of GaN crystal decreases rapidly as the temperature increases, but it is still too large for thermoelectric applications. The figure of merit (ZT) estimated at 1500 K is 0.134 for p-type GaN crystal and 0.062 for the n-type.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	WU Wen-Tao	中国科学院福建物质结构研究所	1	0	0.0	0.0
2	WU Ke-Chen	中国科学院福建物质结构研究所	2	0	0.0	0.0
3	MA Zu-Ju	中国科学院福建物质结构研究所	1	0	0.0	0.0
4	SA Rong-Jian	中国科学院福建物质结构研究所	2	0	0.0	0.0
5	WEI Yong-Qin	中国科学院福建物质结构研究所	2	0	0.0	0.0
6	LI Qiao-Hong	中国科学院福建物质结构研究所	2	0	0.0	0.0