CVT一步生长的ZnSe单晶的光电特性研究

• 作者: 李寒松 李焕勇
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 化学气相输运法 ZnSe单晶 光电特性 透过率 电阻率
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 页码范围: 290-293,297
• 分类号: O78
• 字数: 2878字
• 语种: 中文

摘要

本文采用化学气相输运(CVT)法,由Zn(5N)和Se(5N)一步直接生长了片状ZnSe单晶,并对其结构特性和光电性能进行分析.研究表明,生长出的ZnSe单晶仅显露(111)面,红外透过率约为40％ ～42％,具有较高的结晶质量.该ZnSe单晶可与In电极形成良好的欧姆接触,其体电阻率约为7.3 ×l09 Ω·cm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李焕勇	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	34	199	6.0	13.0
2	李寒松	西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室	2	4	2.0	2.0