铜互连电迁移失效阻变特性研究

• 作者: 刘毅 吴振宇 杨银堂 柴常春 董嗣万
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 互连 电迁移 阻变特性
• 年，卷（期）: 2012,（24）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 531-536
• 分类号: O78
• 语种: 中文

摘要

基于铜互连电迁移失效微观机理分析建立一种Cu／SiCN互连电迁移失效阻变模型，并提出一种由互连阻变曲线特征参数即跳变台阶高度与斜率来获取失效物理参数的提取方法．研究结果表明，铜互连电迁移失效时间由一定电应力条件下互连阴极末端晶粒耗尽时间决定．铜互连电迁移失效一般分为沟槽型和狭缝型两种失效模式．沟槽型空洞失效模式对应的阻变曲线一般包括跳变台阶区和线性区两个特征区域．晶粒尺寸分布与临界空洞长度均符合正态对数分布且分布参数基本一致．阻变曲线线性区斜率与温度呈指数函数关系．利用阻变模型提取获得的电迁移扩散激活能约为0．9eV,与Black方法基本一致．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴振宇	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	24	170	9.0	12.0
2	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
3	刘毅	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	37	112	7.0	8.0
4	柴常春	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	80	592	15.0	19.0
5	董嗣万	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	2	2	1.0	1.0