透明导电InSnGaMo氧化物薄膜光电性能研究

• 作者: 何军辉 刘宝琴 刘拥军 刘振华 张春伟 王书昶
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InSnGaMo复合氧化物薄膜 透明导电薄膜 脉冲激光沉积 光电性能
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 功能薄膜
• 页码范围: 109-113
• 分类号: O484.4
• 字数: 3889字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2012.02.05

摘要

利用脉冲激光沉积法在石英衬底上制备出了可见光透过率高、电阻率极低的Ga,Mo共掺杂TTO基InSnGaMo复合氧化物薄膜.研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌、光电性能的影响.实验结果表明:衬底温度对InSnGaMo复合氧化物薄膜形貌、光电性能均有很大影响.X射线衍射、扫描电镜和霍尔测试结果表明,随着衬底温度的升高,薄膜晶粒度增大,电阻率快速下降,可见光平均透过率明显提高.当衬底温度为450℃时,InSnGaMo复合氧化物薄膜的电阻率最低为4.15×10-4Ω·cm,载流子浓度和迁移率最大分别为3× 1020 cm-3,45 cm2 V-1s-1,在可见及近红外区平均透过率达92％,特别地,波长为362nm时,最高透射率可达99％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王书昶	扬州大学物理科学与技术学院	8	21	3.0	4.0
2	刘振华	扬州大学物理科学与技术学院	10	67	5.0	8.0
3	刘拥军	扬州大学物理科学与技术学院	24	90	5.0	8.0
4	何军辉	扬州大学物理科学与技术学院	18	30	3.0	4.0
5	张春伟	扬州大学物理科学与技术学院	7	16	3.0	4.0
6	刘宝琴	扬州大学物理科学与技术学院	7	6	2.0	2.0