硅基AAO模板内电化学沉积ZnO纳米线及其光电性能研究

• 作者: 张海明 李芹 李菁 杨岩 缪玲玲
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 化学
• 关键词: 电化学 ZnO 场发射
• 年，卷（期）: 2012,（1）
• 页码范围: 136-140,145
• 分类号: O611
• 字数: 2458字
• 语种: 中文

摘要

本文利用二次阳极氧化法在p型低阻〈100)晶向的硅衬底上制备了AAO/Si,以硅基AAO为辅助模板,采用电化学沉积的方法以Zn( NO3)·6H2O和HMT( C6 H12 N4)为原料,在80℃的水浴槽中制备了ZnO纳米线结构.采用SEM,XRD和拉曼光谱等手段对ZnO/AAO/Si复合结构进行表征.SEM图表明ZnO纳米线已成功组装到AAO/Si模板里,直径约45 nm,长度约为600 nm.XRD和拉曼光谱表明ZnO具有六角纤锌矿多晶结构.光致发光(PL)谱图表明ZnO/AAO/Si复合结构在565 nm附近有较宽黄绿发射峰,在395 nm附近有微弱的紫外发射峰.场发射测试结果表明,ZnO纳米线的场增强因子的β值为2490,场增强因子很高,具有广泛的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李菁	天津工业大学理学院	6	16	2.0	3.0
2	张海明	天津工业大学理学院	55	265	7.0	14.0
3	杨岩	天津工业大学理学院	3	10	2.0	3.0
4	缪玲玲	天津工业大学理学院	3	10	2.0	3.0
5	李芹	天津工业大学理学院	5	12	2.0	3.0