PECVD低功率沉积氮化硅薄膜研究

• 作者: 孙荣霞 蔡爱玲 解占壹
• 来源期刊: 电子测量技术
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳能电池 PECVD 射频功率 氮化硅
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 22-24
• 分类号: TK51
• 字数: 2730字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-7300.2012.05.006

摘要

为了减少太阳能电池氮化硅薄膜生产工艺中的缺陷、提高太阳能电池的转换效率,采用等离子增强化学气相沉积法在射频功率较低的条件下,对N型单晶硅片表面进行氮化硅沉积,获得与高射频功率沉积时相同膜厚和折射率的氮化硅膜,通过试验分析了低功率沉积工艺对电池电参数、对膜厚均匀性的影响.结果表明,在低功率沉积工艺条件下,有助于改善膜厚均匀性,使膜厚不均匀度由12％下降到6％,太阳能电池转换效率提高了0.05个百分点.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙荣霞	河北大学电子信息工程学院	42	210	7.0	13.0
2	解占壹		2	5	1.0	2.0
3	蔡爱玲		2	5	1.0	2.0