氩气退火对氢掺杂AZO薄膜电学性能的影响

• 作者: 吕有明 曹培江 朱德亮 柳文军 石素君 贾芳 马晓翠
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: H掺杂AZO薄膜 氩气退火 热稳定性 Hall测试
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 742-746
• 分类号: O472.4|O484.4
• 字数: 3231字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123307.0742

摘要

采用射频磁控溅射法,在石英玻璃衬底上制备出了性能良好的H掺杂AZO透明导电薄膜,通过XRD、Hall、UV-Vis等测试手段,研究了氩气气氛中退火温度对薄膜电学热稳定性的影响.实验结果显示,随着退火温度的升高,薄膜中载流子的浓度和迁移率下降.分析认为,这与薄膜中氢的逸出密切相关.