基于自洽GW方法的碳化硅准粒子能带结构计算

• 作者: 祝桐 高尚鹏
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GW方法 最局域Wannier函数 SiC 能带结构
• 年，卷（期）: 2012,（13）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 381-386
• 分类号: O481
• 语种: 中文

摘要

在多体微扰理论的框架下,分别采用G0W0方法和准粒子自洽GW方法计算3C-SiC和2H-SiC的准粒子能级.由一个平均Monkhorst-Pack网格点上的准粒子能级和准粒子波函数出发,结合最局域Wannier函数插值,得到3C-SiC和2H-SiC的自洽准粒子能带结构.3C-SiC的价带顶在Γ点,导带底在X点.DFT-LDA,G0W0和准粒子自洽GW给出的3C-SiC间接禁带宽度分别为1.30eV,2.23 eV和2.88eV 2H-SiC价带顶在Γ点,导带底在K点.采用DFT-LDA,G0W0和准粒子自洽GW方法得到的间接禁带宽度分别为2.12 eV,3.12 eV和3.75 eV.计算基于赝势方法,对于3C-SiC和2H-SiC的准粒子自洽GW计算给出的禁带宽度均比实验值略大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高尚鹏	复旦大学材料科学系	4	6	1.0	2.0
2	祝桐	复旦大学材料科学系	1	1	1.0	1.0