CdSe胶质量子点的电致发光特性研究

• 作者: 吴东锴 吴惠桢 斯剑霄 杜凌霄 楼腾刚 胡炼 蔡春锋
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CdSe 量子点 电致发光 光致发光
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1211-1215
• 页数: 5页
• 分类号: O443
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1077.2012.12027

摘要

采用胶体化学法合成硒化镉(CdSe)胶质量子点,在此基础上制成了以CdSe胶质量子点为有源层,结构为ITO/ZnS/CdSe/ZnS/Al的电致发光(EL)器件.透射电镜测量表明量子点的尺寸为4.3 nm,扫描电子显微镜测量ZnS薄膜和Al薄膜结果显示表面均较为平整,由器件结构的X射线衍射分析观察到了CdSe(111)、ZnS(111)等晶面的衍射,表明器件中包含了CdSe量子点和ZnS绝缘层材料.光致发光谱表征胶质量子点的室温发光峰位于614 nm,电致发光测量得到器件在室温下的发光波长位于450 ～ 850 nm,峰值在800 nm附近.本文对电致发光机制及其与光致发光谱的区别进行了讨论.