应变Ge/Si（1-x）Gex价带色散模型

• 作者: 宋建军 张鹤鸣 戴显英 杨程 郑若川 郝跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 应变Ge 价带结构 k·p理论 色散关系模型
• 年，卷（期）: 2012,（13）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质：电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 387-393
• 分类号: O413.1
• 语种: 中文

摘要

基于k·p微扰理论,通过引入应变哈密顿量作为微扰,建立了双轴应变Ge/Si（1-x）Gex价带色散关系模型.模型适于任意晶向弛豫Si（1-x）Gex虚衬底上的应变Ge价带结构,通过该模型可获得任意k方向应变Ge的价带结构和空穴有效质量.模型的Matlab模拟结果显示,应变Ge/Si（1-X）Gex价带带边空穴有效质量随Ge组分的增加而减小,其各向异性比弛豫Ge更加显著.本文研究成果对Si基应变Ge MOS器件及集成电路的沟道应力与晶向的设计有参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	戴显英	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	55	329	10.0	15.0
2	郝跃	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	312	1866	17.0	25.0
3	张鹤鸣	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	102	510	12.0	16.0
4	宋建军	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	36	204	9.0	12.0
5	杨程	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	3	15	3.0	3.0