氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究

• 作者: 孙晓娟 宋航 李志明 王新建 缪国庆 蒋红 陈一仁 黎大兵
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 杂质 氮化物 热扩散
• 年，卷（期）: 2012,（7）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理
• 页码范围: 768-773
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123307.0768

摘要

采用热扩散方法,对AlN薄膜进行了Si掺杂.利用电子能量散射谱(EDS)以及高温变温电导对薄膜进行了分析.EDS测试结果表明:在1250℃的温度下,氮化硅(SiNx)作为Si的扩散源,可以实现对AlN薄膜的Si热扩散掺杂.高温电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)测试表明:在460℃测试温度下,AlN薄膜在热扩散掺杂以后,其电导从1.9×10-3S·m-1增加到2.1×10-2S·m-1.高温变温电导测试表明:氮空位(V3+N)和Si在AlN中的激活能为1.03eV和0.45eV.