大面积高深宽比硅微通道板阵列制作

• 作者: 吕文峰 周彬 罗建东 郭金川
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 微制作 光辅助电化学刻蚀 深宽比 微通道板
• 年，卷（期）: 2012,（2）
• 所属期刊栏目: 光电子学与光电子器件
• 页码范围: 228-231
• 分类号: TN223
• 字数: 4030字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20124102.0228

摘要

利用光辅助电化学刻蚀方法,在厚度为425μm的5英寸硅片上,制作成深宽比达50以上的微通道板阵列结构.理论分析了影响微孔阵列形貌形成的关键因素,并结合实验条件,通过调整刻蚀电压值和根据莱曼模型修正实验电流值得到理想的孔壁形貌.结果表明,相比于目前在硅基上制作高深宽微结构的几种技术,光辅助电化学刻蚀方法能够实现孔壁光滑、面积大和深宽比高的微通道板阵列结构的低成本制作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭金川	深圳大学光电子学研究所教育部和广东省光电子器件与系统重点实验室	29	103	6.0	8.0
2	周彬	深圳大学光电子学研究所教育部和广东省光电子器件与系统重点实验室	12	45	4.0	6.0
3	吕文峰	深圳大学光电子学研究所教育部和广东省光电子器件与系统重点实验室	2	13	1.0	2.0
4	罗建东	深圳大学光电子学研究所教育部和广东省光电子器件与系统重点实验室	2	13	1.0	2.0