AlN插入层对α-AlGaN的外延生长的影响

• 作者: 孙晓娟 宋航 李志明 缪国庆 蒋红 贾辉 陈一仁 黎大兵
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: α-AlGaN AlN插入层 应力 拉曼光谱 光致发光
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 器件制备与器件物理
• 页码范围: 519-524
• 分类号: O47
• 字数: 1630字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123305.0519

摘要

采用有机金属化学气相沉积(MOCVD)在r面蓝宝石村底上生长α-AlGaN外延膜,研究了AlN插入层对 α-AlGaN外延膜的应力和光学性质的影响.根据高分辨X射线衍射(HRXRD)技术和扫描电子显微镜( SEM)我们可以得到,AlN插入层有效地提高了a-AlGaN外延膜的晶体质量并减小了外延膜材料结构的各向异性.由拉曼光谱得到MlN插入层的引入减小了a-AlGaN外延膜的面内压应力,其原因是AlN插入层可以当作衬底有效的调制与减小α-AlGaN外延膜与r面蓝宝石村底的晶格失配,从而使α-AlGaN的面内应力得到适当释放.对室温下的光致发光进行测量得到AlN插入层的使用使近带边发射峰(NBE)发生了红移,这可能是由于残余应力的减小引起.