放电过程对碳纳米管膜场发射性能的影响

• 作者: 张君德 李瑞 樊志琴 王建星 蔡根旺
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 碳纳米管 MPCVD 场发射 拉曼光谱
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 1102-1106
• 页数: 5页
• 分类号: O462.4
• 语种: 中文

摘要

利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,在不锈钢衬底上直接沉积碳纳米管膜.研究碳纳米管膜在放电过程中对其场发射性能的影响.通过XPS、Raman光谱等手段,分析碳纳米管膜在放电过程中sp2碳和sp3碳含量的变化,对碳纳米管膜场发射性能变化的根源进行研究.结果显示,在放电过程中,碳纳米管膜中sp2碳的含量减少,场发射性能变差.经过分析,我们认为发生这种现象的原因是:发射电子主要是从sp2碳发出的,sp2碳的减少直接影响了发射电子的减少,故其场发射性能降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	樊志琴	河南工业大学理学院	30	115	6.0	9.0
2	李瑞	河南工业大学理学院	22	64	5.0	6.0
3	蔡根旺	河南工业大学理学院	17	66	5.0	7.0
4	张君德	河南工业大学理学院	10	27	3.0	4.0
5	王建星	河南工业大学理学院	7	10	2.0	2.0