微晶硅(μc-Si∶H)薄膜电池性能的数值模拟分析

• 作者: 毛艳丽 王春雷 王超 赵本定
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 微晶硅电池 窗口层 势垒 计算机模拟
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 页码范围: 2056-2061
• 页数: 6页
• 分类号: O484.4
• 字数: 2259字
• 语种: 中文

摘要

运用美国宾州大学开发的太阳电池模拟软件AMPS-1 D(Analysis of Microelectronic and Photonic Structures)研究窗口层厚度、前端接触势垒等因素对微晶硅pin太阳电池内建电势和p层势垒的影响,并分析这些因素对太阳电池性能影响的机制.模拟结果表明,前端接触势垒越大,微晶硅电池性能越好.在前端接触势垒小于1.30eV时,p层厚度对电池性能影响明显,在厚度为12nm时微晶硅电池可获得最好性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛艳丽	河南省光伏材料重点实验室河南大学物理与电子学院	2	1	1.0	1.0
2	赵本定	河南省光伏材料重点实验室河南大学物理与电子学院	1	1	1.0	1.0
3	王超	河南省光伏材料重点实验室河南大学物理与电子学院	1	1	1.0	1.0
4	王春雷	河南省光伏材料重点实验室河南大学物理与电子学院	1	1	1.0	1.0