InAIAs／GaSbAs／InPDHBT与InP／GaSbAs／InPDHBT性能比较分析

• 作者: 任宏亮 周守利 李伽 杨万春
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 工学
• 关键词: InAlAs/GaSbAs InP/GaSbAs II型双异质结双极晶体管
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 物理学交叉学科及有关科学技术领域
• 页码范围: 572-577
• 分类号: TN304.23
• 语种: 中文

摘要

双异质结双极晶体管（DHBT）的性能与发射区-基区（E．B）异质结和基区．集电区（B．C）异质结的能带突变类型关系密切，本文基于热场发射．扩散模型，对两类不同能带结构类型的新型DHBT的性能做了比较分析．结论表明：与作为当今研究热点的E．B和B．C异质结构均为全交错II型能带结构的InP／GaSbAs／InPDHBT的性能相比，E．B异质结采用传统I型、B．C异质结采用交错II型的一类新型能带结构的InAlAs／GaSbAs／InPDHBT虽然在开启电压上更高，但具有更好的电流驱动能力、直流增益和高频性能．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周守利	浙江工业大学信息工程学院	26	40	4.0	5.0
2	李伽	浙江工业大学信息工程学院	11	3	1.0	1.0
3	杨万春		1	1	1.0	1.0
4	任宏亮		1	1	1.0	1.0