先驱体转化制备ZrO2改性SiC陶瓷的氧化行为研究

• 作者: 李伟 王生学 陈朝辉
• 来源期刊: 材料工程
• 关键词: ZrO2 SiC陶瓷 先驱体转化法 氧化行为
• 年，卷（期）: 2012,（8）
• 所属期刊栏目: 测试与表征
• 页码范围: 45-50
• 分类号: TQ174
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4381.2012.08.010

摘要

采用先驱体转化法,以聚碳硅烷、二乙烯基苯和正丁醇锆为原料高温裂解制备了ZrO2改性的SiC陶瓷材料,结合XRD,SEM和EDS能谱等测试方法,研究ZrO2的添加对材料氧化行为的影响.结果表明:ZrO2引入后,SiC陶瓷材料在1600℃开始氧化,表面生成了SiO2阻氧层阻止气体逸出,宏观上形成气泡,到1700℃材料氧化较严重,表面变得凹凸不平,出现较多空洞,并且存在一定程度的失重；1700℃氧化后,含ZrO2的材料表面和内部均有一定程度的氧化,表面的主要成分为SiO2,内部有部分SiC发生了氧化,两种材料氧化层呈梯度分布；在高温氧化过程中,ZrO2会发生由四方相向单斜相的相变,SiC对ZrO2的相变具有抑制作用,而材料氧化后生成的SiO2则无法抑制ZrO2的相变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈朝辉	国防科技大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室	167	1816	23.0	32.0
2	李伟	国防科技大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室	34	256	9.0	15.0
3	王生学	国防科技大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室	1	3	1.0	1.0