压力及屏蔽对无限深量子阱中施主结合能的影响

• 作者: 刘贺 哈斯花 温淑敏 赵春旺
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 量子阱 压力 屏蔽 结合能
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能研究
• 页码范围: 492-498
• 分类号: O471.3
• 字数: 4281字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20123305.0492

摘要

对GaAs/AlxGa1-xAs和GaN/AlxGa1-xN无限深量子阱系统,考虑压力及屏蔽效应,利用变分方法数值计算这两种系统中的杂质态结合能.给出了结合能随阱宽和压力的变化关系,同时讨论了有无屏蔽时的区别.结果表明,结合能随压力增大而增大,随阱宽增大而减小；屏蔽效应随着压力的增加而增加,并且显著降低了杂质态的结合能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵春旺	内蒙古工业大学理学院物理系	58	247	9.0	12.0
2	刘贺	内蒙古工业大学理学院物理系	2	0	0.0	0.0
3	温淑敏	内蒙古工业大学理学院物理系	15	33	4.0	5.0
4	哈斯花	内蒙古工业大学理学院物理系	7	2	1.0	1.0