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摘要:
针对NAND Flash中存在的滞留错误(Retention Error),提出了一种降低该错误的动态译码纠错方案.该方案利用系统的存储时间、擦写次数信息分析其对滞留错误造成的影响,得出了硬判决译码的最优判决电压和软判决译码的对数似然比(LLR),进而设计动态译码纠错方案.通过硬判决BCH码和软判决LDPC码对该纠错方案进行仿真验证,结果表明该方案能够有效地降低NAND Flash数据滞留引起的错误,延长数据的存储时间.
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文献信息
篇名 一种降低NAND Flash滞留错误的纠错方案
来源期刊 通信技术 学科 工学
关键词 NAND闪存 纠错编码 滞留错误 BCH码 LDPC码
年,卷(期) 2012,(12) 所属期刊栏目 其他
研究方向 页码范围 137-141
页数 5页 分类号 TN911.22
字数 3711字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张有光 北京航空航天大学电子信息工程学院 124 907 15.0 26.0
2 康旺 北京航空航天大学电子信息工程学院 3 1 1.0 1.0
3 金令旭 北京航空航天大学电子信息工程学院 2 1 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
NAND闪存
纠错编码
滞留错误
BCH码
LDPC码
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
通信技术
月刊
1002-0802
51-1167/TN
大16开
四川省成都高新区永丰立交桥(南)创业路8号
62-153
1967
chi
出版文献量(篇)
10805
总下载数(次)
35
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