EGSM/TD - LTE双模双连接手机近场电磁兼容的研究

• 作者: 彭宏利 毛军发 江勇 高安明
• 来源期刊: 信息技术
• 学科: 工学
• 关键词: 双模双连接 电磁兼容 射频干扰 天线隔离
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 基金项目
• 页码范围: 1-4,7
• 分类号: TN916.9
• 字数: 2270字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-2552.2012.06.001

摘要

针对EGSM/TD - LTE双模双连接手机,研究了手机近场的电磁兼容问题.首先构建了EGSM和TD - LTE两个模式的手机近场电磁兼容问题的评估模型；其次基于该评估模型研究了近场射频干扰与双模双连接手机接收性能的关系,当EGSM的发射功率为30dBm,TD - LTE系统的接收灵敏度会恶化2dB;最后给出了一种提高多频段双天线隔离度的解决方案,并通过仿真表明,该方法能够有效提高双模双连接手机的天线隔离度,从而克服双模双连接手机的电磁兼容问题.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	毛军发	上海交通大学电子信息与电气工程学院	84	256	8.0	11.0
2	高安明	上海交通大学电子信息与电气工程学院	2	2	1.0	1.0
3	江勇	上海交通大学电子信息与电气工程学院	3	11	2.0	3.0
4	彭宏利	上海交通大学电子信息与电气工程学院	4	5	2.0	2.0