英飞凌650VTRENCHSTOP5重新界定IGBT同级最佳效能

• 作者: 郑冬冬
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 英飞凌 IGBT TRENCHSTOP5 逆变器 系列产品 饱和电压 拓朴 功率密度 反向恢复时间 输出电容
• 年，卷（期）: bdtxx_2012,（6）
• 页码范围: 22-23
• 页数: 2页
• 分类号: TN322.8

摘要

【正】英飞凌科技发表新一代薄晶圆技术IGBTTRENCHSTOP5系列产品,其导通损失和切换损失均远低于目前的解决方案。透过这项突破性的产品,英飞凌为IGBT效能立下新标竿,继续在效率需求不断提升的市场中保持领先地位。新技术的崩溃电压提高至650V,让设计拥有更高的安全余裕。目标拓朴为PFC(AC/DC)升压级和高电压DC/DC拓朴,常见于光伏逆变器、不断电系统(UPS)和变频焊接机具等应用。