低介电常数多孔氮化硅陶瓷的制备

• 作者: 张明习 袁中毅 轩立新 门薇薇
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔氮化硅陶瓷 低介电常数 气孔率 孔径
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 118-121
• 分类号: TQ174.1
• 字数: 3558字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-023X.2012.12.033

摘要

采用凝胶注模成型工艺,以SiO2含量大于等于95％的空芯玻璃微珠作造孔剂,通过控制造孔剂的加入量和调节造孔剂的孔径成功制备出低介电常数、高强度的多孔Si3N4陶瓷.结果表明,随着造孔剂含量的增加,试样气孔率增大,弯曲强度降低,ε和tanδ都相应降低,ε最低为1.77;在造孔剂加入量为10％时,随着造孔剂的孔径尺寸变大,试样的孔径变大,弯曲强度降低,试样的ε和tanδ也相应降低.当造孔剂含量为10％、孔径尺寸为80μm时制备的多孔氨化硅陶瓷ε为2.13,弯曲强度达到38MPa,适合作为宽频带天线罩的夹层材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	门薇薇	中航工业特种结构研究所高性能电磁窗航空科技重点实验室	4	28	4.0	4.0
2	轩立新	中航工业特种结构研究所高性能电磁窗航空科技重点实验室	6	33	4.0	5.0
3	张明习	中航工业特种结构研究所高性能电磁窗航空科技重点实验室	3	16	2.0	3.0
4	袁中毅	中航工业特种结构研究所高性能电磁窗航空科技重点实验室	3	8	1.0	2.0