混响室电场的概率分布模型研究

• 作者: 余志勇 宋建社 谭武端
• 来源期刊: 高电压技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 混响室(RC) 电场 概率分布 联合Gaussian分布 边缘分布 拟合度良好性测试
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 过电压与绝缘
• 页码范围: 2349-2353
• 页数: 5页
• 分类号: O441.1
• 字数: 3658字
• 语种: 中文

摘要

混响室（reverberation chamber,RC）电场分布的经典概率分布模型在实际混响室电场拟合度良好性检测中拒绝率较大,不能准确地描述电场统计分布规律。为此,研究了混响室电场统计分布规律,建立了新的电场概率分布模型。基于电场Cartesian分量的实部和虚部均服从正态分布的假设,引入了联合Gaussian分布密度函数来描述电场Cartesian分量的实部和虚部构成的2维随机变量的概率分布模型。在此基础上利用构造边缘分布函数的方法建立了混响室电场Cartesian分量幅值和相位的概率分布模型。以实际混响室电场为对象进行拟合度良好性检测,结果表明,与Rayleigh分布、Weibull分布和均一分布模型相比,边缘分布模型具有最小的拒绝率,从而证明了边缘分布模型能够更准确地描述混响室电场分布的统计规律。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭武端		8	30	4.0	5.0
2	余志勇		50	230	9.0	12.0
3	宋建社		81	969	19.0	25.0