Ge在Si(100)-2×1表面化学吸附的第一性原理研究

• 作者: 卜琼琼 杨宇 王茺 陆顺其 靳映霞
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 化学吸附 表面吸附能 密度泛函理论
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 1037-1042
• 页数: 6页
• 分类号: O78
• 字数: 3976字
• 语种: 中文

摘要

应用密度泛函理论,构造了具有非对称二聚体结构的Si(100)-2×1重构表面,在系统研究了其表面结构及特性的基础上,计算了Ge在不同吸附位置的表面吸附能,以及吸附前后的表面投影态密度.计算结果表明:Ge原子在基位(pedestal)吸附最稳定.另外,在吸附Ge原子之后,我们得到了一个具有完整对称性的特殊Si原子二聚体结构.此结构中相邻的两个二聚体链互相平行且分别与Si表面平行,每对二聚体Si原子呈对称分布.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学光电信息材料研究所	101	377	9.0	12.0
2	王茺	云南大学光电信息材料研究所	50	148	7.0	8.0
3	靳映霞	云南大学光电信息材料研究所	22	112	6.0	9.0
4	陆顺其	云南大学光电信息材料研究所	2	3	1.0	1.0
5	卜琼琼	云南大学光电信息材料研究所	2	3	1.0	1.0