PECVD腔室热流场数值仿真研究

• 作者: 向东 夏焕雄 姜崴 牟鹏 王丽丹 葛研
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子辅助化学气相沉积 多孔介质 气流仿真 稳流室
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 1030-1036
• 页数: 7页
• 分类号: TB71
• 字数: 3728字
• 语种: 中文

摘要

等离子辅助化学气相沉积(PECVD)腔室的气流分布、温度分布是影响薄膜沉积工艺均匀性以及沉积速率的重要原因之一.本文对PECVD腔室气流建立连续流体和传热模型,研究了腔室内流场和温度分布特性；讨论了四种不同稳流室结构的PECVD腔室,在加热盘恒温400℃、质量流量5000 sccm、抽气口压力133 Pa的工艺条件下12英寸晶圆片附近上方流速、压力、温度分布情况；选择了其中一种稳流室结构作了多种质量流量( 20 ～ 5000 sccm)入口条件下的流场分析.仿真研究发现:在抽气口位置偏置的情况下,四种不同稳流室结构的腔室内热流场并未出现明显偏置,这表明抽气口偏置对工艺均匀性没有明显影响.加热盘附近上方2 mm处温度场大面均匀、稳定,且随入口质量流量变化波动很小,表现出良好的稳定性；气压分布呈现中心高边缘低的抛物线特征,流速呈现中心低边缘高的线性特征,且晶圆片附近以及喷淋头( Showerhead)入口压力和流速均随着入口质量流量的增加而升高.研究结果对PECVD腔室结构设计及工艺控制具有重要意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	向东	清华大学精密仪器与机械学系	119	1085	17.0	27.0
2	牟鹏	清华大学精密仪器与机械学系	27	160	8.0	12.0
3	夏焕雄	清华大学精密仪器与机械学系	7	29	3.0	5.0
4	姜崴		3	13	1.0	3.0
5	葛研		1	13	1.0	1.0
6	王丽丹		1	13	1.0	1.0