SOI纳米波导的优化制备与弯曲损耗测试

• 作者: 仝晓刚 崔丹凤 王景雪 王永华 臧俊斌 薛晨阳 韦丽萍
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI 纳米光波导 MEMS 粗糙度 弯曲损耗
• 年，卷（期）: 2012,（11）
• 所属期刊栏目: 物理类传感器
• 页码范围: 1498-1502
• 页数: 5页
• 分类号: TN256
• 字数: 3038字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2012.011.006

摘要

主要针对目前SOI(Silicon-on-insulator)纳米光波导结构弯曲损耗严重的问题,系统地进行了理论仿真分析,设计出最佳的纳米波导结构,并采用MEMS工艺对其进行加工制备与优化处理.后利用了SEM(扫描电子显微镜)、AFM(原子力显微镜)、透射谱功率法等研究手段精确测试了在高纯氮退火和BOE腐蚀后处理不变的情况下,不同温度热氧化退火处理下的波导侧壁粗糙度和对应的弯曲损耗,结果表明:波导的侧壁粗糙度随退火温度的变化近似呈二次抛物线变化趋势,在900℃附近达到最低值2.1 nm,对应的半径15 μm的环形波导的弯曲损耗为(0.0109+0.001) dB/turn,其损耗值与理论分析结果一致.利用这一结论就可以通过选择不同的优化处理条件来减小环形波导的弯曲损耗,从而实现光能量的高效传输.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛晨阳	中北大学电子测试技术国家重点实验室	136	765	14.0	21.0
2	臧俊斌	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	8	10	2.0	2.0
3	韦丽萍	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	6	29	3.0	5.0
4	崔丹凤	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	11	43	4.0	6.0
5	王景雪	中北大学电子测试技术国家重点实验室	2	5	2.0	2.0
6	王永华	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	6	33	3.0	5.0