衬底对PTCDA薄膜结构与电荷输运特性的影响

• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 苝四甲酸二酐 有机半导体 迁移率 电荷传输
• 年，卷（期）: 2012,（3）
• 页码范围: 334-340
• 页数: 7页
• 分类号: O484.1
• 语种: 中文

摘要

在不同导电衬底(Au,Al和ITO)上制备了PTCDA薄膜,用XRD和AFM技术研究了PTCDA薄膜的结构和表面形貌.结果表明,薄膜中的大部分PTCDA分子平面与衬底不平行,这表明薄膜垂直方向的电流传导将以电子传输为主;在ITO和Au衬底上生长的PTCDA薄膜晶粒排列规则,在薄膜垂直方向呈现出较好的电子传输性能;而在Al衬底上生长的PTCDA薄膜晶粒排列无序,电子传输性能差.通过制备单层结构有机薄膜器件,研究了PTCDA薄膜垂直方向的电子迁移率.综合应用金属-有机界面的热电子发射理论和有机层体内空间电荷限制传导理论,并考虑电场强度对迁移率变化的影响,对ITO/PTCDA/Al器件的电流密度-电压曲线进行拟合,得到ITO衬底上生长的PTCDA薄膜在垂直方向随电场强度变化的电子迁移率数值.