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摘要:
植物角质层蜡质在抵抗各种生物和非生物胁迫中起着非常重要的作用.本试验以水稻(Oryza sativa L.)幼苗为材料,分别以200 mmol L-1 NaC1、12% PEG、1.0% H2O2、40℃高温和8℃低温为逆境,研究叶角质层蜡质的积累情况以及其与水稻蜡质合成相关基因OsGL1表达的关系.扫描电镜观察以及叶角质层蜡质总量测定结果表明,12%PEG、1.0% H2O2和8℃低温处理下水稻幼苗叶角质层蜡质的积累明显增加,而200 mmol L-1 NaCl和40℃高温处理下叶角质层蜡质覆盖量略有下降.RT-PCR分析显示,逆境处理下水稻蜡质合成相关基因OsGL1的表达量变化与水稻幼苗叶角质层蜡质的积累存在相关性.
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文献信息
篇名 逆境处理下水稻叶角质层蜡质积累及其与蜡质合成相关基因OsGL1表达的关系
来源期刊 作物学报 学科
关键词 水稻 逆境处理 角质层蜡质 OsGL1 表达
年,卷(期) 2012,(6) 所属期刊栏目 研究简报
研究方向 页码范围 1115-1120
页数 分类号 S511
字数 语种 中文
DOI 10.3724/SP.J.1006.2012.01115
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周玲艳 仲恺农业工程学院生命科学学院 65 505 13.0 18.0
5 姜大刚 南农业大学生命科学学院 1 25 1.0 1.0
6 李静 南农业大学生命科学学院 1 25 1.0 1.0
7 周海 南农业大学生命科学学院 1 25 1.0 1.0
8 曹伟炜 南农业大学生命科学学院 1 25 1.0 1.0
9 庄楚雄 南农业大学生命科学学院 1 25 1.0 1.0
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逆境处理
角质层蜡质
OsGL1
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