铜表面化学气相沉积石墨烯的研究进展:生长行为与控制制备

• 作者: 任文才 刘连庆 成会明 董再励 马来鹏
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: 石墨烯 控制生长 化学气相沉积 铜基体
• 年，卷（期）: 2012,（23）
• 所属期刊栏目: 评述
• 页码范围: 2158-2163
• 页数: 6页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1007/s11434-012-5335-4

摘要

以铜作为基体的化学气相沉积法(CVD)是近年来发展起来的制备石墨烯的新方法,具有产物质量高、层数均一等优点,已成为制备大面积、单层石墨烯的主要方法.本文围绕铜表面CVD控制生长石墨烯,结合对石墨烯的结构和生长行为的初步认识,介绍了质量提高、层数控制以及无转移生长等控制制备方面的最新研究进展,并展望了该方法制备石墨烯的可能发展方向,包括大尺寸石墨烯单晶以及不同堆垛方式的双层石墨烯的控制生长等.