高频小功率硅双极晶体管不同管脚端对静电放电失效的机理

• 作者: 张希军 杨洁 武占成
• 来源期刊: 高电压技术
• 学科: 工学
• 关键词: 静电放电(ESD) 失效机理 双极晶体管 管脚端对 高频 场致击穿 硅
• 年，卷（期）: 2012,（9）
• 所属期刊栏目: 电磁兼容——静电与电磁防护专题
• 页码范围: 2254-2258
• 页数: 5页
• 分类号: TN325.2
• 字数: 2786字
• 语种: 中文

摘要

在人体模型静电放电（electrostatic discharge,ESD）的注入作用下,部分高频小功率硅双极晶体管对人体模型静电放电最敏感的管脚端对不再是普遍认为的发射极E-基极B间的EB反偏结,而是集电极C与基极B间的CB反偏结。为此,采用微观失效分析与计算机模拟仿真分析相结合的方法,详细讨论了不同管脚对引发典型高频小功率硅双极晶体管ESD失效的效应机理,并针对典型器件内部不同位置的损伤点逐个进行分析。最终得出：高频小功率硅双极晶体管的明显失效往往是由于热二次击穿造成的基极有源区与发射极之间的熔融穿通引起的,而ESD潜在性失效发生的主要原因则是其基极或发射极金属电极附近绝缘介质的场致击穿,从而影响高频小功率硅双极晶体管使用的可靠性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	武占成	军械工程学院静电与电磁防护研究所	87	567	12.0	18.0
2	张希军	军械工程学院静电与电磁防护研究所	50	393	12.0	17.0
3	杨洁	军械工程学院静电与电磁防护研究所	29	181	9.0	12.0