CdZnTe晶体位错处的Raman光谱及PL谱研究

• 作者: 周海 曾冬梅 殷业财
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CdZnTe 位错 Raman光谱
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 922-925
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+5
• 字数: 2397字
• 语种: 中文

摘要

利用显微Raman光谱技术,对比研究了CdZnTe晶体无位错区和位锘密集区的Raman光谱.研究发现,CdZnTe晶体无位错区的Raman光谱出现了与Te有关的A1模(119 cm-1)、类CdTe的TO1模(138 cm-1)和类ZnTe 的TO2模(179 cm-1)；CdZnTe晶体位错密集区的Raman光谱中仅出现了与Te有关的A1模和类CdTe的TO1模,CdZnTe晶体类ZnTe的TO2模消失.对CdZnTe试样位错密集区进行变温光致发光谱测试,结果表明,束缚在中性施主上的激子的离解为电子空穴对,电子空穴的非辐射复合过程吸收了类ZnTe的TO2模声子能量,造成Raman 光谱中类ZnTe的TO2模缺失.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周海	北京石油化工学院材料科学与工程系	79	487	12.0	17.0
2	曾冬梅	北京石油化工学院材料科学与工程系	21	50	4.0	6.0
3	殷业财	北京石油化工学院工程教育中心	9	18	2.0	4.0