IR推出采用TSOP-6封装的HEXFETMOSFET系列产品

• 来源期刊: 中国电子商情：基础电子
• 学科: 经济
• 关键词: 电子产品 IR 封装 有害物质 器件 硅技术 逆变器 SLＩ
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 页码范围: 92-92
• 页数: 1页
• 分类号: F426.63
• 语种: 中文

摘要

IR推出一系列采用TSOP-6封装、搭载IR最新低压HEXFETMOSFET硅技术的器件，适用于电池保护与逆变器开关中的负载开关、充电和放电开关等低功率应用。全新的功率MOSFET具备极低的导通电阻（RDS（on）），能够大幅降低传导损耗。新产品可以作为N及P通道配置里的20V或30V器件，最大栅极驱动从12Vgs到20Vgs不等。所有新器件均达到第一级潮湿敏感度（MSLＩ）业界标准，并符合电子产品有害物质管制规定（RoHS），不含铅、溴化物和卤素。