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摘要:
在介绍绝缘门极双极性晶体管(IGBT)在关断过程中产生过电压原理基础上,分析了传统的过电压抑制方法存在的问题,给出了一种基于有源箝位的IGBT过电压抑制策略。所给出的有源箝位电路由瞬态电压抑制器(TVS)构成,位于IGBT的集电极与门极之间。基于Saber的仿真结果证实了该策略可将IGBT关断时的过电压箝位在瞬态电压抑制器的设定值,能有效地减小IGBT关断时产生的过电压。
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文献信息
篇名 基于有源箝位的IGBT过电压抑制技术
来源期刊 变频器世界 学科 工学
关键词 绝缘门极双极性晶体管 有源箝位 过电压抑制 瞬态电压抑制器
年,卷(期) 2012,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 71-73
页数 3页 分类号 TM564
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 程善美 华中科技大学控制科学与工程系 95 917 14.0 26.0
2 雷明 华中科技大学控制科学与工程系 12 224 7.0 12.0
3 于孟春 华中科技大学控制科学与工程系 4 30 3.0 4.0
4 申勇哲 华中科技大学控制科学与工程系 1 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
绝缘门极双极性晶体管
有源箝位
过电压抑制
瞬态电压抑制器
研究起点
研究来源
研究分支
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期刊影响力
变频器世界
月刊
1561-0330
大16开
深圳市南山区高新南区科苑南路中地数码大厦
1997
chi
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