基于TRL的3mm波段变容二极管对建模方法

• 作者: 于伟华 吕昕 安大伟
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs变容二极管 芯片电路模型 不连续性 毫米波
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1180-1184
• 分类号: TN31
• 字数: 3190字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2012.06.019

摘要

本文在商用变容二极管的简化电路模型基础上,对非线性肖特基结和周围的无源结构进行了基于石英介质的TRL去嵌入建模分析,在考虑二极管无源区和封装环境各种寄生参量情况下,建立了精确的3mm波段二极管对电路模型.采用TRL算法,通过拟合初始二极管S参数曲线和TRL测试参数确定芯片电路模型中各集总参数元件数值.二极管对在片各项测试结果和基于改进的电路模型仿真结果相吻合.该二极管对电路模型建模方法可应用于毫米波亚毫米波混频倍频电路的准确分析与设计.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕昕	北京理工大学信息与电子学院	58	285	10.0	14.0
2	于伟华	北京理工大学信息与电子学院	20	67	4.0	7.0
3	安大伟		6	21	2.0	4.0