两种结构MEMS磁场传感器的研究

• 作者: 陈洁
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁场传感器 MEMS 洛仑兹力 谐振
• 年，卷（期）: 2012,（12）
• 所属期刊栏目: 物理类传感器
• 页码范围: 1648-1652
• 页数: 5页
• 分类号: TP212.13
• 字数: 2742字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2012.12.005

摘要

研究了两种结构的谐振式磁场传感器,检测在磁场作用下梁的振动幅度,来实现磁场的测量.首先介绍了传感器的工作原理,并用振动理论对传感器的受力及响应进行了分析,接着用有限元软件建立结构模型,对振动幅度进行了仿真.该MEMS磁场传感器采用标准的CMOS工艺加上后处理来实现.最后用多普勒仪对传感器的振动幅度进行测试,实验结果与理论分析一致,并对两种传感器性能进行比较.所研究的两种传感器结构简单,测试方便,可用于对mT级的磁场进行测试.