工艺参数对高功率MPCVD金刚石膜择优取向的影响研究

• 作者: 于盛旺 刘艳青 唐伟忠 唐宾 申艳艳 贺志勇
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金刚石膜 高功率MPCVD 工艺参数 择优取向
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 868-871
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2613字
• 语种: 中文

摘要

使用自行研制的椭球谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源、沉积功率8 kW条件下,在不同CH4浓度、沉积温度和气体流量工艺条件下制备了大面积金刚石膜.使用X射线衍射仪对金刚石膜的择优取向的变化规律进行了研究.实验结果表明,高功率条件下工艺参数对金刚石膜的择优取向有不同程度的影响.在CH4浓度由0.5％上升到1.0％时,金刚石膜的择优取向由(220)转变为(111),由1.O％上升到2.5％时,则由(111)转变为(220)以及(311)；在700 ～ 1050℃温度范围内,随着沉积温度的升高,金刚石膜(111)择优取向生长的倾向增高,当沉积温度高于1050℃时,金刚石膜改变了原先的以(111)择优取向生长的趋势,变为了以(100)择优取向生长；在气体流速为200～1000 sccm范围内时,随气体流量的增加,金刚石膜(111)择优取向的倾向增加.当气体流量大于1000sccm时,金刚石膜(111)择优取向的倾向又稍有降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	唐伟忠	北京科技大学材料科学与工程学院	106	860	16.0	21.0
2	唐宾	太原理工大学表面工程研究所	121	953	15.0	23.0
3	贺志勇	太原理工大学表面工程研究所	72	696	15.0	23.0
4	于盛旺	太原理工大学表面工程研究所	27	77	5.0	7.0
6	申艳艳	太原理工大学表面工程研究所	9	38	3.0	6.0
9	刘艳青	北京科技大学材料科学与工程学院	7	61	4.0	7.0